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Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor

Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor

30GG2Z11 IGBT Power Module /  TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor
30GG2Z11 IGBT Power Module /  TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor

Großes Bild :  Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor Bestpreis

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: TOSHIBA
Modellnummer: 30GG2Z11
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Stück
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Modul mit Kasten
Lieferzeit: 2-3 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 50 Stk.
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Typ: 30GG2Z11 Marke: Toshiba
Markieren:

Isolierschichtbipolar transistor

,

hohes gegenwärtiges igbt

Energie-Modul TOSHIBA 30GG2Z11 IGBT

 

Treten Sie mit uns in Verbindung, wenn Sie weitere Einzelheiten oder Zitat von diesen Einzelteil benötigen. info@gr-ele.com



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Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor 0Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor 1

 

 

Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor 2

Kontaktdaten
G-Resource Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: Jenny

Telefon: 86-15818536604

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