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Bringen Hochspannungs-Igbt Fahrgestelle BSM25GD120DN2 Vollbrücke-1200V 35A 200W an

Bringen Hochspannungs-Igbt Fahrgestelle BSM25GD120DN2 Vollbrücke-1200V 35A 200W an

BSM25GD120DN2 High Voltage Igbt Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount
BSM25GD120DN2 High Voltage Igbt Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount

Großes Bild :  Bringen Hochspannungs-Igbt Fahrgestelle BSM25GD120DN2 Vollbrücke-1200V 35A 200W an Bestpreis

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: Infineon
Modellnummer: BSM25GD120DN2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Stück
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Modul mit Kasten
Lieferzeit: 1-2 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 20 Stk.
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Markieren:

Isolierschichtbipolar transistor

,

Hochspannungs-igbt

Hersteller Infineon Technologies
Reihe -
Teil-Status Nicht für neue Entwürfe
IGBT-Art -
Konfiguration Vollbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 1200V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 35A
Macht- maximales 200W
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 3V @ 15V, 25A
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal) 800µA
Input-Kapazitanz (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Input Standard
NTC-Thermistor Nein
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montage-Art Fahrgestelle-Berg
Paket/Fall Modul
Lieferanten-Gerät-Paket Modul

Kontaktdaten
G-Resource Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: Jenny

Telefon: 86-15818536604

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