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NE5550979A MOSFET-Leistungstransistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A

NE5550979A MOSFET-Leistungstransistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A

NE5550979A MOSFET Power Transistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
NE5550979A MOSFET Power Transistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A

Großes Bild :  NE5550979A MOSFET-Leistungstransistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A Bestpreis

Produktdetails:
Herkunftsort: Japan
Markenname: RENESAS
Modellnummer: NE5550979A-T1-A
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Stück
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Band u. Spule (TR)
Lieferzeit: 1-2 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 98000 PC
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

smd mosfet-Transistor

NE5550979A MOSFET-Leistungstransistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A 0Hersteller RENESAS
Hersteller-Teilnummer NE5550979A-T1-A
Beschreibung Fet-RF 30V 900MHZ 79A-PKG
Ausführliche Beschreibung Rf Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
Datenblätter NE5550979A
Produkteigenschaften  
Kategorien Getrennte Halbleiter-Produkte
  Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Hersteller CEL
Reihe -
Verpacken Band u. Spule (TR)
Teil-Status Veraltet
Transistor-Art LDMOS
Frequenz 900MHz
Gewinn 22dB
Spannung - Test 7.5V
Gegenwärtige Bewertung (Ampere) 3A
Rauschmaß -
Gegenwärtig - Test 200mA
Leistungsabgabe 38.6dBm
Spannung - bewertet 30V
Paket/Fall 79A
Lieferanten-Gerät-Paket 79A
Niedrige Teilnummer NE5550
Klima- u. Export-Klassifikationen  
Bleifreier Status/RoHS-Status Bleifrei/ROHS3 konform
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) 1 (unbegrenzt)
Standardpaket 1.000

Kontaktdaten
G-Resource Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: Jenny

Telefon: 86-15818536604

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